中国推出全球最快闪存，写入速度仅需400皮秒！

近日，上海复旦大学实验室研发出一颗比米粒还小的闪存芯片，名为“破晓”（PoX），写入速度低至400皮秒 ——一万亿分之一秒，短到连眨眼动作的百万分之一都不到，差不多是现有技术的十万倍提速，听起来像是科幻小说，现在已经变成了现实。

我们日常使用的手机、电脑、U盘，里面的数据存储靠的基本都是闪存，即便是断电了，数据也不会丢，这就是所谓的“非易失性存储器”。

不过传统闪存有个最大的问题：速度慢，哪怕你的芯片再快、AI算法再高明，只要数据“送不过来”，整个系统都会卡住。

相比之下，我们熟悉的内存（比如SRAM和DRAM），速度很快，但一断电就“归零”，数据全丢了。

而“破晓”（PoX）芯片，断电后也能保存数据，并且速度惊人，这就是他最革命的地方。

上海复旦大学的突破在于材料和结构的创新。过去的闪存主要基于硅材料，而复旦的研究团队大胆启用了狄拉克石墨烯，这种被誉为“材料界超导体”的神奇物质，可以让电子“飞”起来的材料。

团队通过精密调控存储结构，创造出“二维超注入”效应—，让数据像水流一样快速灌入存储层。这一系列操作，彻底打破了传统速度的天花板。

这项研究不仅被国际顶刊《自然》认可，还已经完成了流片验证。目前研究团队正与制造厂商紧密合作，目标是将这种高速存储技术应用到我们每天使用的手机和电脑中。

如果未来它能真正商用，我们或许很快就能告别“系统卡顿”、“存储不够”的烦恼，迎来一个数据飞奔、AI流畅的智能时代。

从长江存储打破存储芯片垄断，到“破晓”（PoX）芯片突破物理极限，中国存储技术的一直在不断进阶。

属于中国芯片的“破晓时刻”，已经不远了。